パワー半導体用SiCウェハ製造技術の基礎・技術課題・開発動向【LIVE配信】

ーSiC単結晶成長、ウェハ加工技術、材料評価の基礎・応用ー

1. SiCパワー半導体の開発動向とSiCウェハ開発
　1-1 SiCの基礎と物性
　　(1) 身近なSiC
　　(2) ワイドギャップ半導体と特徴
　　(3) SiCウェハ
　　(4) 他半導体材料とSiCの違い
　1-2 SiCパワー半導体への応用
　　(1) SiCを使ったパワーエレクトロニクス技術
　　(2) SiCパワー素子がもたらす技術変革・応用事例
　1-3 SiCウェハの材料技術開発の動向と市場の要求
　　(1) パワー半導体用SiCウェハ開発の歴史
　　(2) 国内・外でのSiCウェハ開発動向
　　(3) SiCウェハ開発に対する今後の期待

2. SiC単結晶製造技術
　2-1 SiC単結晶の合成・成長方法
　　(1) SiCの合成
　　(2) SiC単結晶の量産技術
　　(3) 各種SiC単結晶成長技術の特徴
　　(4) シリコンから見たSiC単結晶製造技術の課題と期待
　2-2 結晶多形と特徴
　　(1) SiCの結晶多形（ポリタイプ）と物性
　　(2) 多形制御技術
　2-3 結晶欠陥と制御
　　(1) SiC単結晶の結晶欠陥と影響
　　(2) SiC単結晶の欠陥評価技術
　　(3) SiC単結晶の欠陥抑制技術
　2-4 大口径結晶の成長
　　(1) SiC単結晶の口径拡大成長技術
　　(2) 大口径化がもたらす効果と技術課題
　2-5 n/p型の伝導度制御
　　(1) SiC単結晶の伝導度制御
　　(2) SiC単結晶の低抵抗化技術
 
3. SiCウェハ加工技術
　3-1 SiCのウェハ加工
　　(1) SiCウェハ加工工程と技術課題
　3-2 ウェハ切断工程
　　(1) SiC単結晶の切断技術
　　(2) 切断工程の高速化技術
　　(3) 切断工程の課題と新しい切断技術
　3-3 ウェハ研削工程
　　(1) SiCウェハの研削加工
　　(2) 研削加工の高速・鏡面化技術
　　(3) 研削工程の課題と新しい研削加工技術
　3-4 ウェハ研磨工程
　　(1) SiCウェハの研磨加工
　　(2) 研磨加工と研削加工の特徴や違い
　　(3) 研磨工程の課題と新しい研削加工技術
　3-5 CMP工程
　　(1) SiCウェハのCMP加工
　　(2) CMPの高速化技術
　　(3) CMP工程の課題と新しいCMP加工技術
　3-6 加工変質層と評価
　　(1) 加工が及ぼすSiCウェハ表面の加工変質層とその特徴
　　(2) 加工変質層の評価技術
　　(3) 加工変質層の抑制技術
　3-7 大口径化対応
　　(1) SiCウェハ加工における大口径化対応の技術課題
　　(2) 大口径化対応へ向けた解決策の検討

【質疑応答】

☆過去のアンケート抜粋☆
・入門的なセミナーとしてとてもよかった。
・パワーデバイスの社会実装の状況とSiCが開発が必要な状況が理解できた
・SiC研究の背景から基本知識、具体的な研究結果まで知ることができた。
・各工程における課題がわかりやすくて勉強になりました。
・技術動向、課題を詳しく説明いただき参考になりました。