2024年12月18日（水）
10:30～16:30
筑波大学 数理物質系 物理工学域 教授 岩室 憲幸 氏
【講師経歴】
1998年 博士（工学）（早稲田大学）。富士電機㈱に入社後、
1988年から現在までIGBT、ならびにWBGデバイス研究、開発、製品化に従事。
1992年 North Carolina State Univ. Visiting Scholar
1999年～2005年 薄ウェハ型IGBTの製品開発に従事。
2009年5月～2013年3月 産業技術総合研究所。SiC-MOSFET、SBDの研究ならびに量産技術開発に従事。
2013年4月～ 国立大学法人 筑波大学 教授。現在に至る。
【活 動】
IEEE Senior Member、電気学会上級会員、応用物理学会会員。
パワー半導体国際シンポジウム(ISPSD) 2021 組織委員会委員。
日経エレクトロニクス パワエレアワード 2020 最優秀賞（2020年）。
【著 書】
1) パワエレ技術者のためのSiCパワー半導体デバイス（科学情報出版㈱）（2024年2月発刊）
2) 車載機器におけるパワー半導体の設計と実装（科学情報出版㈱）（2019年9月発刊）
3) SiC/GaNパワーエレクトロニクス普及のポイント（監修）（S&T 出版）（2018年1月発刊）
4) 次世代パワー半導体の高性能化とその産業展開（監修）（シーエムシー出版）（2015年6月発刊）
5) 世界を動かすパワー半導体―IGBTがなければ電車も自動車も動かない－ (編集委員)（電気学会）（2008年12月発刊）など
非会員： 55,000円（税込）
会員： 49,500円（税込）
学生： 55,000円（税込）
1名につき 55,000円（税込）※ 資料付
メール会員登録者は 49,500円（税込）
★【メール会員特典】2名以上同時申込かつ申込者全員がメール会員登録していただいた場合、1名あたりの参加費がメール会員価格の半額となります。
★ セミナーお申込み後のキャンセルは基本的にお受けしておりません。ご都合により出席できなくなった場合は代理の方がご出席ください。
※セミナー請求書は代表者のメールアドレスにPDFデータを添付しお送りいたします。
・本セミナーは、当日ビデオ会議ツール「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
お申し込み前に、下記リンクから視聴環境をご確認ください。
→
https://zoom.us/test
・当日はリアルタイムで講師へのご質問も可能です。
・タブレットやスマートフォンでも視聴できます。
・お手元のPC等にカメラ、マイク等がなくてもご視聴いただけます。
この場合、音声での質問はできませんが、チャット機能、Q&A機能はご利用いただけます。
・ただし、セミナー中の質問形式や講師との個別のやり取りは講師の判断によります。ご了承ください。
・「Zoom」については
こちらをご参照ください。
パワーエレクトロニクス開発ご担当、パワーデバイス開発ご担当、パワーエレクトロニクス機器販売、パワーデバイス販売ご担当者
データセンタ用電源やxEVにおけるパワーデバイスの使われ方。
パワーデバイス全体の最新技術動向、Si,SiC,GaNデバイス・実装最新技術、Si、SiCデバイス特有の設計、プロセス技術、など
本講座では、SiC/GaNパワーデバイスを広く市場に普及するためのポイントは何かを主題に解説する。2024年現在、世界各国は自動車の電動化（xEV）開発に向け大きく進展している。そして2030年代には日、米、欧、中がガソリン車の新車販売を禁止するなど、xEVは、もはや大きな潮流となった。さらにAI化の流れにのってデータセンタの建設が世界各地で進んでいる。このデータセンタはその電力消費が莫大と言われており、サーバ用電源の高効率化は喫緊の課題でもある。
これらxEV化ならびにサーバ用電源の高効率化の進展には高性能パワーデバイスが必要不可欠であり，特に新材料パワーデバイスであるSiC/GaNパワーデバイスの普及が大いに期待されている。しかし現状では、性能、信頼性、さらには価格の面で市場の要求に十分応えられていない。SiC/GaNパワーデバイスの今後について、強力なライバルであるシリコンデバイスの最新動向を見据えながら、わかりやすく解説したい。
1．パワーエレクトロニクスとは？
1-1 パワエレ&パワーデバイスの仕事
1-2 パワーデバイスの種類と基本構造
1-3 パワーデバイスの適用分野
1-4 高周波動作のメリットは
1-5 パワーデバイス開発のポイントは何か
2．最新シリコンパワーデバイスの進展と課題
2-1 MOSFET・IGBT開発のポイント
2-2 特性向上への挑戦
2-3 MOSFET・IGBT特性改善を支える技術
2-4 最新のMOSFET・IGBT技術：まだまだ特性改善が進むシリコンデバイス
2-5 新構造IGBT：逆導通IGBT（RC-IGBT）の開発
3．SiCパワーデバイスの現状と課題
3-1 ワイドバンドギャップ半導体とは？
3-2 SiCのSiに対する利点
3-3 SiC-MOSFETプロセス
3-4 SiCデバイス普及拡大のポイント
3-5 SiC-MOSFET特性改善・信頼性向上のポイント
3-6 最新SiC-MOSFET技術
4．GaNパワーデバイスの現状と課題
4-1 GaNデバイス構造は”横型GaN on Si”が主流。なぜGaN on GaNではないのか？
4-2 GaN-HEMTの特徴と課題
4-3 GaN-HEMTのノーマリ-オフ化
4-4 GaNパワーデバイスの強み、そして弱みはなにか
4-5 縦型GaNデバイスの最新動向
5．高温対応実装技術
5-1 高温動作ができると何がいいのか
5-2 SiC-MOSFETモジュール用パッケージ
5-3 ますます重要度を増すSiC-MOSFETモジュール開発
